MOSFET Infineon, canale N, 380 mΩ, 10,6 A, I2PAK (TO-262), Su foro

Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

10,6 A

Tensione massima drain source

700 V

Serie

CoolMOS™ C6

Tipo di package

I2PAK (TO-262)

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

380 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

3.5V

Tensione di soglia gate minima

2.5V

Dissipazione di potenza massima

83 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-30 V, +30 V

Materiale del transistor

Si

Massima temperatura operativa

+150 °C

Larghezza

4.57mm

Numero di elementi per chip

1

Carica gate tipica @ Vgs

39 nC a 10 V

Lunghezza

10.36mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Altezza

9.45mm