MOSFET Infineon, canale N, 1,6 mΩ, 380 A, TO-247AD, Su foro

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Codice RS:
165-7597
Codice costruttore:
AUIRFP2602
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

380 A

Tensione massima drain source

24 V

Tipo di package

TO-247AD

Serie

HEXFET

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

1,6 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

4V

Tensione di soglia gate minima

2V

Dissipazione di potenza massima

380 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Carica gate tipica @ Vgs

260 nC a 10 V

Lunghezza

15.87mm

Materiale del transistor

Si

Massima temperatura operativa

+175 °C

Larghezza

5.31mm

Numero di elementi per chip

1

Minima temperatura operativa

-55 °C

Altezza

20.7mm

Paese di origine:
MX

MOSFET di potenza a canale N per uso automobilistico, Infineon


La gamma completa di dispositivi a canale N a stampo singolo qualificati AECQ-101 per uso automobilistico di Infineon soddisfa un'ampia varietà di requisiti di alimentazione in svariate applicazioni. Questa gamma di MOSFET di potenza discreti HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminazioni e fattori di forma adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.


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