MOSFET Infineon, canale N, 11,8 mΩ, 105 A, D2PAK-7, Montaggio superficiale

Codice RS:: 168-6014
Codice costruttore:: IRFS4115TRL7PP
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 11,8 mΩ, 105 A, D2PAK-7, Montaggio superficiale

Prodotto discontinuato

Codice RS:: 168-6014
Codice costruttore:: IRFS4115TRL7PP
Costruttore:: Infineon

IRFS4115-7PPbF, HEXFET Power MOSFET 150V
ESD Control Selection Guide V1

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Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	105 A
Tensione massima drain source	150 V
Tipo di package	D2PAK-7
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	7
Resistenza massima drain source	11,8 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	5V
Tensione di soglia gate minima	3V
Dissipazione di potenza massima	380 W
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+175 °C
Carica gate tipica @ Vgs	73 nC a 10 V
Lunghezza	10.67mm
Larghezza	4.83mm
Altezza	9.65mm
Tensione diretta del diodo	1.3V
Minima temperatura operativa	-55 °C
Serie	HEXFET

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