MOSFET Infineon, canale Tipo N 55 V, 2.6 mΩ, 240 A, 7 Pin, TO-263, Superficie
- Codice RS:
- 214-4452
- Codice costruttore:
- IRF3805STRL-7PP
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 800 unità*
1503,20 €
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1833,60 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 800 + | 1,879 € | 1.503,20 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 214-4452
- Codice costruttore:
- IRF3805STRL-7PP
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 240A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 55V | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 7 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 2.6mΩ | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 200nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 300W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 240A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 55V | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 7 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 2.6mΩ | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 200nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 300W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Questo MOSFET di potenza Infineon HEXFET utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza estremamente bassa all'accensione per area di silicio. Caratteristiche aggiuntive di questa struttura sono una temperatura d'esercizio della giunzione a 175 °C, elevata velocità di commutazione e migliori valori nominali dell'effetto valanga.
È senza piombo
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