MOSFET Infineon, canale Tipo N 55 V, 2.6 mΩ, 240 A, 7 Pin, TO-263, Superficie IRF3805STRL-7PP
- Codice RS:
- 214-4453
- Codice costruttore:
- IRF3805STRL-7PP
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 4,722 € | 23,61 € |
| 25 - 45 | 4,156 € | 20,78 € |
| 50 - 120 | 3,87 € | 19,35 € |
| 125 - 245 | 3,636 € | 18,18 € |
| 250 + | 3,352 € | 16,76 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 214-4453
- Codice costruttore:
- IRF3805STRL-7PP
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 240A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 7 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 2.6mΩ | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 200nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 300W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 240A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 7 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 2.6mΩ | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 200nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 300W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Questo MOSFET di potenza Infineon HEXFET utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza estremamente bassa all'accensione per area di silicio. Caratteristiche aggiuntive di questa struttura sono una temperatura d'esercizio della giunzione a 175 °C, elevata velocità di commutazione e migliori valori nominali dell'effetto valanga.
È senza piombo
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