MOSFET Toshiba, canale N, 1 Ω, 10 A, TO-3PN, Su foro
- Codice RS:
- 168-7791
- Codice costruttore:
- TK10J80E
- Costruttore:
- Toshiba
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- Codice RS:
- 168-7791
- Codice costruttore:
- TK10J80E
- Costruttore:
- Toshiba
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Toshiba | |
| Tipo di canale | N | |
| Corrente massima continuativa di drain | 10 A | |
| Tensione massima drain source | 800 V | |
| Tipo di package | TO-3PN | |
| Serie | TK | |
| Tipo di montaggio | Su foro | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima drain source | 1 Ω | |
| Modalità del canale | Enhancement | |
| Tensione di soglia gate massima | 4V | |
| Dissipazione di potenza massima | 250 W | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Tensione massima gate source | -30 V, +30 V | |
| Larghezza | 4.5mm | |
| Numero di elementi per chip | 1 | |
| Carica gate tipica @ Vgs | 46 nC a 10 V | |
| Massima temperatura operativa | +150 °C | |
| Materiale del transistor | Si | |
| Lunghezza | 15.5mm | |
| Altezza | 20mm | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Toshiba | ||
Tipo di canale N | ||
Corrente massima continuativa di drain 10 A | ||
Tensione massima drain source 800 V | ||
Tipo di package TO-3PN | ||
Serie TK | ||
Tipo di montaggio Su foro | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima drain source 1 Ω | ||
Modalità del canale Enhancement | ||
Tensione di soglia gate massima 4V | ||
Dissipazione di potenza massima 250 W | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Tensione massima gate source -30 V, +30 V | ||
Larghezza 4.5mm | ||
Numero di elementi per chip 1 | ||
Carica gate tipica @ Vgs 46 nC a 10 V | ||
Massima temperatura operativa +150 °C | ||
Materiale del transistor Si | ||
Lunghezza 15.5mm | ||
Altezza 20mm | ||
- Paese di origine:
- JP
Transistor MOSFET, Toshiba