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MOSFET
MOSFET Toshiba, canale N, 1 Ω, 10 A, TO-3PN, Su foro
Codice RS:
168-7791
Codice costruttore:
TK10J80E
Costruttore:
Toshiba
Visualizza MOSFET
Prodotto discontinuato
Codice RS:
168-7791
Codice costruttore:
TK10J80E
Costruttore:
Toshiba
Documentazione Tecnica
Dettagli prodotto
Specifiche
Normative
TK10J80E, MOSFET Silicon N-Channel MOS Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1
Transistor MOSFET, Toshiba
Attributo
Valore
Tipo di canale
N
Corrente massima continuativa di drain
10 A
Tensione massima drain source
800 V
Serie
TK
Tipo di package
TO-3PN
Tipo di montaggio
Su foro
Numero pin
3
Resistenza massima drain source
1 Ω
Modalità del canale
Enhancement
Tensione di soglia gate massima
4V
Dissipazione di potenza massima
250 W
Configurazione transistor
Singolo
Tensione massima gate source
-30 V, +30 V
Materiale del transistor
Si
Lunghezza
15.5mm
Massima temperatura operativa
+150 °C
Carica gate tipica @ Vgs
46 nC a 10 V
Larghezza
4.5mm
Numero di elementi per chip
1
Altezza
20mm
RoHS
Dichiarazione di conformità
Paese di origine:
JP
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