MOSFET Toshiba, canale N, 1 Ω, 10 A, TO-3PN, Su foro

Codice RS:: 168-7791
Codice costruttore:: TK10J80E
Costruttore:: Toshiba

MOSFET Toshiba, canale N, 1 Ω, 10 A, TO-3PN, Su foro

Prodotto discontinuato

Codice RS:: 168-7791
Codice costruttore:: TK10J80E
Costruttore:: Toshiba

TK10J80E, MOSFET Silicon N-Channel MOS Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	10 A
Tensione massima drain source	800 V
Serie	TK
Tipo di package	TO-3PN
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	1 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Dissipazione di potenza massima	250 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	15.5mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	46 nC a 10 V
Larghezza	4.5mm
Altezza	20mm

MOSFET Toshiba, canale N, 1 Ω, 10 A, TO-3PN, Su foro

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