MOSFET Toshiba, canale N, 1 Ω, 10 A, TO-3PN, Su foro

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
796-5159
Codice costruttore:
TK10J80E
Costruttore:
Toshiba
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Marchio

Toshiba

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

10 A

Tensione massima drain source

800 V

Serie

TK

Tipo di package

TO-3PN

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

1 Ω

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

4V

Dissipazione di potenza massima

250 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-30 V, +30 V

Numero di elementi per chip

1

Lunghezza

15.5mm

Carica gate tipica @ Vgs

46 nC a 10 V

Larghezza

4.5mm

Massima temperatura operativa

+150 °C

Materiale del transistor

Si

Altezza

20mm


Transistor MOSFET, Toshiba

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