MOSFET Toshiba, canale N, 1 Ω, 10 A, TO-3PN, Su foro

Name: MOSFET Toshiba, canale N, 1 Ω, 10 A, TO-3PN, Su foro
Brand: Toshiba
SKU: 796-5159
Price: 4.03 EUR
Availability: InStock

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Unità	Per unità	Per confezione*
5 +	3,302 €	16,51 €

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Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	10 A
Tensione massima drain source	800 V
Serie	TK
Tipo di package	TO-3PN
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	1 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Dissipazione di potenza massima	250 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	46 nC a 10 V
Lunghezza	15.5mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	4.5mm
Numero di elementi per chip	1
Altezza	20mm

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