MOSFET Toshiba, canale N, 1,3 Ω, 9 A, TO-3PN, Su foro

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
415-354
Codice costruttore:
2SK3878(F)
Costruttore:
Toshiba
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Marchio

Toshiba

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

9 A

Tensione massima drain source

900 V

Tipo di package

TO-3PN

Serie

2SK

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

1,3 Ω

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

4V

Dissipazione di potenza massima

150 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-30 V, +30 V

Carica gate tipica @ Vgs

60 nC a 10 V

Massima temperatura operativa

+150 °C

Lunghezza

15.9mm

Larghezza

4.8mm

Numero di elementi per chip

1

Materiale del transistor

Si

Altezza

19mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

MOSFET a canale N , serie 2SK, Toshiba



Transistor MOSFET, Toshiba

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