MOSFET Toshiba, canale N, 1,3 Ω, 9 A, TO-3PN, Su foro

Name: MOSFET Toshiba, canale N, 1,3 Ω, 9 A, TO-3PN, Su foro
Brand: Toshiba
SKU: 415-354
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Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	9 A
Tensione massima drain source	900 V
Serie	2SK
Tipo di package	TO-3PN
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	1,3 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Dissipazione di potenza massima	150 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	60 nC a 10 V
Larghezza	4.8mm
Lunghezza	15.9mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Altezza	19mm
Minima temperatura operativa	-55 °C