MOSFET onsemi, canale N 1 kV, 1.45 Ω Miglioramento, 8 A, 3 Pin, TO-3PN, Foro passante

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Codice RS:
146-1970
Codice costruttore:
FQA8N100C
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1kV

Serie

QFET

Tipo di package

TO-3PN

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.45Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.4V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

53nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

225W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-30V, +30V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

15.8mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

5mm

Altezza

18.9mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET a canale N QFET® da 6 A a 10,9 A, Fairchild Semiconductor


I nuovi MOSFET planari QFET® di Fairchild Semiconductor adottano un'avanzata tecnologia brevettata al fine di offrire le migliori prestazioni operative della categoria per un'ampia gamma di applicazioni, tra cui alimentatori, correzione del fattore di potenza (PFC), convertitori c.c.-c.c., display al plasma (PDP), resistenze di illuminazione, e controllo del movimento.

Garantiscono ridotte perdite allo stato attivo grazie a una minore resistenza (RDS(on)) e ridotte perdite di commutazione grazie a una minore carica di gate (Qg) e capacità di uscita (Coss). L'avanzata tecnologia di processo QFET® consente a Fairchild di offrire un migliore fattore di merito (FOM) rispetto ai dispositivi MOSFET planari della concorrenza.

Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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