MOSFET onsemi, canale N, 35 mΩ, 70 A, TO-3PN, Su foro
- Codice RS:
- 759-8920
- Codice costruttore:
- FDA70N20
- Costruttore:
- onsemi
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- 759-8920
- Codice costruttore:
- FDA70N20
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | N | |
| Corrente massima continuativa di drain | 70 A | |
| Tensione massima drain source | 200 V | |
| Serie | UniFET | |
| Tipo di package | TO-3PN | |
| Tipo di montaggio | Su foro | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima drain source | 35 mΩ | |
| Modalità del canale | Enhancement | |
| Tensione di soglia gate minima | 3V | |
| Dissipazione di potenza massima | 417 W | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Tensione massima gate source | -30 V, +30 V | |
| Larghezza | 5mm | |
| Lunghezza | 15.8mm | |
| Massima temperatura operativa | +150 °C | |
| Numero di elementi per chip | 1 | |
| Carica gate tipica @ Vgs | 66 nC a 10 V | |
| Materiale del transistor | Si | |
| Altezza | 20.1mm | |
| Minima temperatura operativa | -55 °C | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale N | ||
Corrente massima continuativa di drain 70 A | ||
Tensione massima drain source 200 V | ||
Serie UniFET | ||
Tipo di package TO-3PN | ||
Tipo di montaggio Su foro | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima drain source 35 mΩ | ||
Modalità del canale Enhancement | ||
Tensione di soglia gate minima 3V | ||
Dissipazione di potenza massima 417 W | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Tensione massima gate source -30 V, +30 V | ||
Larghezza 5mm | ||
Lunghezza 15.8mm | ||
Massima temperatura operativa +150 °C | ||
Numero di elementi per chip 1 | ||
Carica gate tipica @ Vgs 66 nC a 10 V | ||
Materiale del transistor Si | ||
Altezza 20.1mm | ||
Minima temperatura operativa -55 °C | ||
MOSFET a canale N UniFET™, Fairchild Semiconductor
Il MOSFET UniFET™ è una famiglia di MOSFET ad alta tensione di Fairchild Semiconductor. Presenta la più piccola resistenza in stato attivo fra i MOSFET planari e fornisce inoltre eccellenti prestazioni di commutazione e una maggiore resistenza all'energia dell'effetto valanga. Inoltre, il diodo ESD gate-sorgente interno consente al MOSFET UniFET-II™ di sopportare sollecitazioni da sovratensioni HBM di oltre 2000 V.
I MOSFET UniFET™ sono adatti per le applicazioni con convertitori di potenza switching, come la correzione del fattore di potenza (PFC), alimentazione TV di display a schermo piatto (FPD), ATX (Advanced Technology eXtended) e resistenze elettroniche per lampade.
I MOSFET UniFET™ sono adatti per le applicazioni con convertitori di potenza switching, come la correzione del fattore di potenza (PFC), alimentazione TV di display a schermo piatto (FPD), ATX (Advanced Technology eXtended) e resistenze elettroniche per lampade.
Transistor MOSFET, ON Semi
Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.