MOSFET Infineon, canale N, 30 mΩ, 39 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Codice RS:: 168-8750
Codice costruttore:: IRLR2908TRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 30 mΩ, 39 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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Prezzo per Unità (Su Bobina da 2000)**

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Unità	Per unità	Per bobina**
2000 - 2000	0,539 €	1.078,00 €
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**prezzo indicativo

Codice RS:: 168-8750
Codice costruttore:: IRLR2908TRPBF
Costruttore:: Infineon

IRLR2908PbF / IRLU2908PbF, HEXFET Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	39 A
Tensione massima drain source	80 V
Tipo di package	DPAK (TO-252)
Serie	HEXFET
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	30 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.5V
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	120 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-16 V, +16 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	6.22mm
Carica gate tipica @ Vgs	22 nC a 4,5 V
Lunghezza	6.73mm
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+175 °C
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	2.39mm

MOSFET Infineon, canale N, 30 mΩ, 39 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza a canale N, da 60V a 80V, Infineon

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