MOSFET Infineon, canale N, 30 mΩ, 39 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Codice RS:: 168-8750
Codice costruttore:: IRLR2908TRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 30 mΩ, 39 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Prodotto al momento non disponibile. La consegna avverrà entro 4 giorni lavorativi a partire dal 07/07/2025.

Prezzo per Unità (Su Bobina da 2000)

0,539 €

(IVA esclusa)

0,658 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità	Per bobina*
2000 - 2000	0,539 €	1.078,00 €
4000 +	0,512 €	1.024,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 168-8750
Codice costruttore:: IRLR2908TRPBF
Costruttore:: Infineon

Documentazione Tecnica

Normative

Paese di origine:: MX

Dettagli prodotto

MOSFET di potenza a canale N, da 60V a 80V, Infineon

La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con contenitori a montaggio superficiale e terminali. I fattori di forma sono adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

Transistor MOSFET, Infineon

Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

Specifiche

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	39 A
Tensione massima drain source	80 V
Tipo di package	DPAK (TO-252)
Serie	HEXFET
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	30 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.5V
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	120 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-16 V, +16 V
Massima temperatura operativa	+175 °C
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	6.22mm
Carica gate tipica @ Vgs	22 nC a 4,5 V
Lunghezza	6.73mm
Materiale del transistor	Si
Altezza	2.39mm
Minima temperatura operativa	-55 °C