MOSFET Infineon, canale Tipo N 80 V, 30 mΩ Miglioramento, 39 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IRLR2908TRPBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
830-3354
Codice costruttore:
IRLR2908TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

39A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

30mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16 V

Dissipazione di potenza massima Pd

120W

Tensione diretta Vf

1.3V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

22nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

2.39mm

Larghezza

6.22 mm

Lunghezza

6.73mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MX

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 39 A, dissipazione di potenza massima di 120 W - IRLR2908TRPBF


Questo MOSFET è stato progettato per garantire versatilità ed efficienza in varie applicazioni che richiedono un controllo preciso della corrente, in particolare in ambienti con limiti di spazio. Grazie alla sua tecnologia HEXFET, mantiene prestazioni efficaci anche ad alte temperature, rendendolo un'opzione adatta ai sistemi elettronici ed elettrici contemporanei. La capacità di gestire una dissipazione di potenza significativa pur operando in condizioni difficili ne aumenta la rilevanza.

Caratteristiche e vantaggi


• Capacità di corrente di drenaggio continua fino a 39A per applicazioni di carico impegnative

• Tensione massima drain-source di 80 V per una maggiore affidabilità

• Bassa resistenza di accensione di 30mΩ per una maggiore efficienza energetica

• Funziona a temperature elevate, fino a +175°C, per gli ambienti più difficili

• Il design a montaggio superficiale facilita l'installazione e il montaggio

• La modalità Enhancement offre un controllo migliore per i circuiti più disparati

Applicazioni


• Impiegati nei circuiti di alimentazione per una commutazione efficace

• Adatto per il controllo dei motori che richiede un'accurata regolazione della corrente

• Utilizzato nei sistemi automobilistici per una gestione efficiente dell'energia

• Ideale per i circuiti di commutazione ad alta frequenza per migliorare l'efficienza

• Adottato nei sistemi di automazione industriale per prestazioni superiori

Quali sono le caratteristiche termiche di questo componente?


La resistenza termica tra giunzione e involucro è di circa 1,3°C/W, il che favorisce un'efficace dissipazione del calore durante il funzionamento, essenziale per mantenere prestazioni e affidabilità ottimali.

Come posso garantire una corretta installazione per ottenere prestazioni ottimali?


È importante attenersi alle linee guida per la progettazione dei circuiti stampati, in particolare per ridurre al minimo l'induttanza e massimizzare il contatto termico con il substrato per evitare il surriscaldamento durante il funzionamento.

È in grado di gestire efficacemente le correnti pulsate?


Sì, può supportare correnti di drenaggio pulsate fino a 150A, consentendo la gestione di condizioni transitorie senza compromettere l'integrità del dispositivo.

Qual è il significato del valore RDS(on) nelle operazioni?


Il basso valore di RDS(on) di 30mΩ è importante perché riduce le perdite di potenza durante la commutazione, migliorando l'efficienza e le prestazioni complessive del circuito.

In che modo la tensione di soglia del gate influisce sulla funzionalità?


Con una tensione di soglia compresa tra 1V e 2,5V, consente un controllo preciso, rendendolo adatto a varie applicazioni elettroniche che richiedono una commutazione accurata.

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