MOSFET Infineon, canale N, 30 mΩ, 39 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Codice RS:: 830-3354
Codice costruttore:: IRLR2908TRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 30 mΩ, 39 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1pz in confezione da 10**

0,993 €

(IVA esclusa)

1,211 €

(IVA inclusa)

Prodotto al momento non disponibile. La consegna avverrà entro 3 giorni lavorativi a partire dal 19/02/2025.*

* Le date di consegna possono variare in base alla quantità selezionata e all'indirizzo di consegna.

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

Unità	Per unità	Per confezione**
10 - 40	0,993 €	9,93 €
50 - 90	0,784 €	7,84 €
100 - 240	0,734 €	7,34 €
250 - 490	0,686 €	6,86 €
500 +	0,625 €	6,25 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 830-3354
Codice costruttore:: IRLR2908TRPBF
Costruttore:: Infineon

IRLR2908PbF / IRLU2908PbF, HEXFET Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	39 A
Tensione massima drain source	80 V
Tipo di package	DPAK (TO-252)
Serie	HEXFET
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	30 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.5V
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	120 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-16 V, +16 V
Materiale del transistor	Si
Larghezza	6.22mm
Carica gate tipica @ Vgs	22 nC @ 4,5 V
Lunghezza	6.73mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Numero di elementi per chip	1
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	2.39mm

MOSFET Infineon, canale N, 30 mΩ, 39 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

MOSFET di potenza a canale N, da 60V a 80V, Infineon

Link consigliati