MOSFET DiodesZetex, canale N, 41 mΩ, 11 A, U-DFN2020, Montaggio superficiale

Codice RS:: 169-0810
Codice costruttore:: DMN1019UFDE-7
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, 41 mΩ, 11 A, U-DFN2020, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)**

0,167 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
3000 +	0,167 €	501,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 169-0810
Codice costruttore:: DMN1019UFDE-7
Costruttore:: DiodesZetex

DMN1019UFDE, 12V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	11 A
Tensione massima drain source	12 V
Tipo di package	U-DFN2020
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	6
Resistenza massima drain source	41 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	0.8V
Dissipazione di potenza massima	2,17 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-8 V, +8 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	2.05mm
Lunghezza	2.05mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	50,6 nC a 8 V
Altezza	0.58mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET DiodesZetex, canale N, 41 mΩ, 11 A, U-DFN2020, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N, da 12 V a 28 V, Diodes Inc

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