2 MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N, 10 Ω 100 V, UDFN-2020, Superficie Miglioramento, 6 Pin

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Codice RS:
246-6786
Codice costruttore:
DMN10H6D2LFDB-7
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

UDFN-2020

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

10Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.3V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

0.7W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

1.2nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

DiodesZetex realizza un MOSFET in modalità di potenziamento a canale N, progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. Si tratta di un dispositivo verde e completamente privo di piombo, alogeni e antimonio. Questo MOSFET viene fornito nel contenitore U-DFN2020-6. DiodesZetex realizza un MOSFET in modalità di potenziamento a canale N, progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. Offre un gate con protezione ESD (fino a 1 kV).

La tensione massima da drain a sorgente è di 100 V La tensione massima da gate a sorgente è di ±20 V Offre una bassa tensione soglia di gate Fornisce una bassa capacità di ingresso

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