MOSFET DiodesZetex, canale N, 10 Ω, 270 mA, U-DFN2020, Montaggio superficiale

DiodesZetex realizza un MOSFET in modalità di potenziamento a canale N, progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. Si tratta di un dispositivo verde e completamente privo di piombo, alogeni e antimonio. Questo MOSFET viene fornito nel contenitore U-DFN2020-6. DiodesZetex realizza un MOSFET in modalità di potenziamento a canale N, progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. Offre un gate con protezione ESD (fino a 1 kV).

La tensione massima da drain a sorgente è di 100 V La tensione massima da gate a sorgente è di ±20 V Offre una bassa tensione soglia di gate Fornisce una bassa capacità di ingresso