MOSFET DiodesZetex, canale Tipo P, Tipo N 30 V, UDFN-2020-6
- Codice RS:
- 254-8592
- Codice costruttore:
- DMC3032LFDB-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,132 € | 396,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 254-8592
- Codice costruttore:
- DMC3032LFDB-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo P, Tipo N | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Tipo di package | UDFN-2020-6 | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 0.8W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 10.6nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo P, Tipo N | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Tipo di package UDFN-2020-6 | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 0.8W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 10.6nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET in modalità di potenziamento DiodeZetex è stato progettato per ridurre al minimo la resistenza allo stato attivo mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per le applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. È applicabile nell'elettronica di controllo del corpo e
Bassa resistenza all'accensione Bassa capacità di ingresso Velocità di commutazione rapida Senza alogeni e antimonio
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