MOSFET DiodesZetex Duale, canale Tipo P, 0.09 Ω, 3.1 A 20 V, UDFN-2020, Superficie Miglioramento, 6 Pin DMP2045UFDB-7
- Codice RS:
- 222-2852
- Codice costruttore:
- DMP2045UFDB-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 0,381 € | 9,53 € |
| 50 - 75 | 0,372 € | 9,30 € |
| 100 - 225 | 0,236 € | 5,90 € |
| 250 - 975 | 0,232 € | 5,80 € |
| 1000 + | 0,166 € | 4,15 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 222-2852
- Codice costruttore:
- DMP2045UFDB-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 3.1A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 20V | |
| Serie | DMP | |
| Tipo di package | UDFN-2020 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 6 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.09Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.29W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 8 V | |
| Tensione diretta Vf | -0.75V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 6.8nC | |
| Configurazione transistor | Duale | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 3.1A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 20V | ||
Serie DMP | ||
Tipo di package UDFN-2020 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 6 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.09Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.29W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 8 V | ||
Tensione diretta Vf -0.75V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 6.8nC | ||
Configurazione transistor Duale | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100 | ||
Il MOSFET in modalità potenziata a canale P doppio DiodesZetex è progettato per ridurre la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e allo stesso tempo mantenere eccellenti prestazioni di commutazione, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.
Ingombro del circuito stampato di 4mm2
Bassa resistenza in stato attivo
Bassa capacità d'ingresso
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