Codice costruttore

MOSFET DiodesZetex Duale, canale Tipo P, 0.09 Ω, 3.1 A 20 V, UDFN-2020, Superficie Miglioramento, 6 Pin

Codice RS:: 222-2851
Codice costruttore:: DMP2045UFDB-7
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex Duale, canale Tipo P, 0.09 Ω, 3.1 A 20 V, UDFN-2020, Superficie Miglioramento, 6 Pin

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

285,00 €

(IVA esclusa)

348,00 €

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Unità	Per unità	Per bobina*
3000 +	0,095 €	285,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 222-2851
Codice costruttore:: DMP2045UFDB-7
Costruttore:: DiodesZetex

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	DiodesZetex
	Tipo di canale	Tipo P
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	3.1A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	20V
	Tipo di package	UDFN-2020
	Serie	DMP
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	6
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	0.09Ω
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione diretta Vf	-0.75V
	Dissipazione di potenza massima Pd	1.29W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	6.8nC
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Configurazione transistor	Duale
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Standard automobilistico	AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100

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	Marchio DiodesZetex
	Tipo di canale Tipo P
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 3.1A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 20V
	Tipo di package UDFN-2020
	Serie DMP
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 6
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.09Ω
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione diretta Vf -0.75V
	Dissipazione di potenza massima Pd 1.29W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 6.8nC
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Configurazione transistor Duale
	Standard/Approvazioni RoHS
	Standard automobilistico AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100

Datasheet - DMP2045UFDB-7

Il MOSFET in modalità potenziata a canale P doppio DiodesZetex è progettato per ridurre la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e allo stesso tempo mantenere eccellenti prestazioni di commutazione, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.

Ingombro del circuito stampato di 4mm2

Bassa resistenza in stato attivo

Bassa capacità d'ingresso

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