MOSFET Infineon, canale N, 16 mΩ, 64 A, TO-220AB, Su foro

La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con contenitori a montaggio superficiale e terminali. I fattori di forma sono adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

Infineon IRL3103 è un MOSFET di potenza HEXFET a canale N singolo 30V in contenitore TO-220AB. Il contenitore TO-220 è la soluzione preferita per tutte le applicazioni commerciali-industriali a livelli di dissipazione di potenza a circa 50 Watt.

Valore nominale dv/dt dinamico
Temperatura d'esercizio: 175 °C
Commutazione rapida
Classificazione completa a valanga
Senza piombo

Transistor MOSFET, Infineon

Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.