MOSFET DiodesZetex, canale N, 180 mΩ, 3,3 A, SOT-89, Montaggio superficiale

Codice RS:: 170-8997
Codice costruttore:: ZXMN3A01ZTA
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, 180 mΩ, 3,3 A, SOT-89, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 2000)**

0,115 €

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0,14 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
2000 +	0,115 €	230,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 170-8997
Codice costruttore:: ZXMN3A01ZTA
Costruttore:: DiodesZetex

ZXMN3A01Z, 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET in SOT89
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	3,3 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	SOT-89
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	180 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	2,12 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Materiale del transistor	Si
Larghezza	2.6mm
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	5 nC a 10 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	4.6mm
Tensione diretta del diodo	0.95V
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.6mm

MOSFET DiodesZetex, canale N, 180 mΩ, 3,3 A, SOT-89, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N, 30 V, Diodes Inc

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