MOSFET Toshiba, canale N, 1,3 mΩ, 300 A, DSOP, Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 171-2373
- Codice costruttore:
- TPWR8503NL
- Costruttore:
- Toshiba
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Aggiunto
Prezzo per 1pz in confezione da 2
2,855 €
(IVA esclusa)
3,483 €
(IVA inclusa)
| Unità | Per unità | Per Pack* |
| 2 + | 2,855 € | 5,71 € |
| *prezzo indicativo | ||
- Codice RS:
- 171-2373
- Codice costruttore:
- TPWR8503NL
- Costruttore:
- Toshiba
Documentazione Tecnica
Normative
Esente
Dettagli prodotto
Convertitori c.c.-c.c. ad alta efficienza
Regolatori switching di tensione
Commutazione ad alta velocità
Carica di gate piccola: QSW = 16 nC (tip.)
Bassa resistenza all'accensione drain-source: RDS(ON) = 1,0 mΩ (tip.) (VGS = 4,5 V)
Bassa corrente di dispersione: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 30 V)
Modalità potenziata: Vth = da 1,3 a 2,3 V (VDS = 10 V, ID = 1,0 mA)
Regolatori switching di tensione
Commutazione ad alta velocità
Carica di gate piccola: QSW = 16 nC (tip.)
Bassa resistenza all'accensione drain-source: RDS(ON) = 1,0 mΩ (tip.) (VGS = 4,5 V)
Bassa corrente di dispersione: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 30 V)
Modalità potenziata: Vth = da 1,3 a 2,3 V (VDS = 10 V, ID = 1,0 mA)
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di canale | N |
| Corrente massima continuativa di drain | 300 A |
| Tensione massima drain source | 30 V |
| Tipo di package | DSOP |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
| Numero pin | 8 |
| Resistenza massima drain source | 1,3 mΩ |
| Modalità del canale | Enhancement |
| Tensione di soglia gate massima | 2.3V |
| Tensione di soglia gate minima | 1.3V |
| Dissipazione di potenza massima | 142 W |
| Configurazione transistor | Singolo |
| Tensione massima gate source | ±20 V |
| Larghezza | 5mm |
| Massima temperatura operativa | +150 °C |
| Numero di elementi per chip | 1 |
| Carica gate tipica @ Vgs | 74 nC a 10 V |
| Lunghezza | 5mm |
| Altezza | 0.73mm |
| Tensione diretta del diodo | 1.2V |