MOSFET Toshiba, canale N 600 V, 109 mΩ Miglioramento, 30.8 A, 5 Pin, DFN, Superficie

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Codice RS:
171-2421
Codice costruttore:
TK31V60W5
Costruttore:
Toshiba
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Marchio

Toshiba

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

30.8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

DFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

109mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Tensione diretta Vf

-1.7V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

105nC

Dissipazione di potenza massima Pd

240W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

8mm

Altezza

850μm

Lunghezza

8mm

Standard automobilistico

No

Non applicabile

Paese di origine:
CN
Regolatori switching di tensione

Rapido tempo di recupero inverso: trr = 135 ns

Bassa resistenza all'accensione drain-source: RDS(ON) = 0,087 Ω

Commutazione gate facile da controllare

Modalità potenziata: Vth = da 3 a 4,5 V (VDS = 10 V, ID = 1,5 mA)

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