MOSFET Toshiba, canale Tipo N 650 V, 90 mΩ Miglioramento, 30 A, 5 Pin, DFN, Superficie

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Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

10.960,00 €

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Codice RS:
206-9729
Codice costruttore:
TK099V65Z,LQ(S
Costruttore:
Toshiba
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Marchio

Toshiba

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

30A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

DFN

Serie

TK099V65Z

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

90mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

47nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

230W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Tensione diretta Vf

-1.7V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

0.5mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

8 mm

Lunghezza

8mm

Standard automobilistico

No

MOSFET a canale N in silicio Toshiba con proprietà di commutazione ad alta velocità con capacità inferiore. È usato principalmente negli alimentatori switching.

Bassa resistenza all'accensione drain-source 0,08 ?

Temperatura di conservazione da -55 a 150 °C.

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