MOSFET Toshiba, canale Tipo N 650 V, 90 mΩ Miglioramento, 30 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

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Codice RS:
206-9724
Codice costruttore:
TK090A65Z,S4X(S
Costruttore:
Toshiba
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Marchio

Toshiba

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

30A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TO-220

Serie

TK090A65Z

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

90mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

45W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

47nC

Tensione diretta Vf

-1.7V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

2.7mm

Lunghezza

28mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET a canale N in silicio Toshiba con proprietà di commutazione ad alta velocità con capacità inferiore. È usato principalmente negli alimentatori switching.

Bassa resistenza all'accensione drain-source 0,075 ?

Temperatura di conservazione da -55 a 150 °C.

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