MOSFET Toshiba, canale Tipo N 650 V, 90 mΩ Miglioramento, 30 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante TK090A65Z,S4X(S
- Codice RS:
- 206-9723
- Codice costruttore:
- TK090A65Z,S4X(S
- Costruttore:
- Toshiba
Prezzo per 1 tubo da 50 unità*
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 50 + | 3,947 € | 197,35 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 206-9723
- Codice costruttore:
- TK090A65Z,S4X(S
- Costruttore:
- Toshiba
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Toshiba | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 30A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Serie | TK090A65Z | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 90mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 45W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30 V | |
| Tensione diretta Vf | -1.7V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 47nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 28mm | |
| Larghezza | 10 mm | |
| Altezza | 2.7mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Toshiba | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 30A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Serie TK090A65Z | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 90mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 45W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30 V | ||
Tensione diretta Vf -1.7V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 47nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 28mm | ||
Larghezza 10 mm | ||
Altezza 2.7mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET a canale N in silicio Toshiba con proprietà di commutazione ad alta velocità con capacità inferiore. È usato principalmente negli alimentatori switching.
Bassa resistenza all'accensione drain-source 0,075 ?
Temperatura di conservazione da -55 a 150 °C.