MOSFET Toshiba, canale Tipo N 60 V, 2.2 mΩ Miglioramento, 100 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante TK100A06N1,S4X(S

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
827-6097
Codice costruttore:
TK100A06N1,S4X(S
Costruttore:
Toshiba
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Marchio

Toshiba

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TO-220

Serie

TK

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

-1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

140nC

Dissipazione di potenza massima Pd

45W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

4.5 mm

Altezza

15mm

Lunghezza

10mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

Transistor MOSFET, Toshiba


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