MOSFET Toshiba, canale N, 10,4 mΩ, 60 A, TO-220SIS, Su foro
- Codice RS:
- 896-2375
- Codice costruttore:
- TK40A06N1,S4X(S
- Costruttore:
- Toshiba
Entro 2 giorni lavorativi per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)
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Aggiunto
Prezzo per 1pz in confezione da 10
0,537 €
(IVA esclusa)
0,655 €
(IVA inclusa)
| Unità | Per unità | Per Pack* |
| 10 - 40 | 0,537 € | 5,37 € |
| 50 - 90 | 0,349 € | 3,49 € |
| 100 - 240 | 0,341 € | 3,41 € |
| 250 - 490 | 0,331 € | 3,31 € |
| 500 + | 0,323 € | 3,23 € |
| *prezzo indicativo | ||
- Codice RS:
- 896-2375
- Codice costruttore:
- TK40A06N1,S4X(S
- Costruttore:
- Toshiba
Documentazione Tecnica
Normative
- Paese di origine:
- CN
Dettagli prodotto
Transistor MOSFET, Toshiba
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di canale | N |
| Corrente massima continuativa di drain | 60 A |
| Tensione massima drain source | 60 V |
| Serie | TK |
| Tipo di package | TO-220SIS |
| Tipo di montaggio | Su foro |
| Numero pin | 3 |
| Resistenza massima drain source | 10,4 mΩ |
| Modalità del canale | Enhancement |
| Tensione di soglia gate massima | 4V |
| Dissipazione di potenza massima | 30 W |
| Configurazione transistor | Singolo |
| Tensione massima gate source | -20 V, +20 V |
| Materiale del transistor | Si |
| Numero di elementi per chip | 1 |
| Carica gate tipica @ Vgs | 23 nC a 10 V |
| Lunghezza | 10mm |
| Massima temperatura operativa | +150 °C |
| Larghezza | 4.5mm |
| Altezza | 15mm |
- Codice RS:
- 896-2375
- Codice costruttore:
- TK40A06N1,S4X(S
- Costruttore:
- Toshiba