MOSFET Toshiba, canale Tipo N 650 V, 90 mΩ Miglioramento, 30 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante TK090N65Z,S1F(S

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 tubo da 30 unità*

259,80 €

(IVA esclusa)

317,10 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 150 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per Tubo*
30 +8,66 €259,80 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
206-9725
Codice costruttore:
TK090N65Z,S1F(S
Costruttore:
Toshiba
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Toshiba

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

30A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TO-247

Serie

TK090N65Z

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

90mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

-1.7V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

47nC

Dissipazione di potenza massima Pd

230W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

5.02mm

Lunghezza

40.02mm

Standard automobilistico

No

MOSFET a canale N in silicio Toshiba con proprietà di commutazione ad alta velocità con capacità inferiore. È usato principalmente negli alimentatori switching.

Bassa resistenza all'accensione drain-source 0,075 ?

Temperatura di conservazione da -55 a 150 °C.

Link consigliati