MOSFET Toshiba, canale Tipo N 650 V, 90 mΩ Miglioramento, 30 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante TK090N65Z,S1F(S
- Codice RS:
- 206-9725
- Codice costruttore:
- TK090N65Z,S1F(S
- Costruttore:
- Toshiba
Prezzo per 1 tubo da 30 unità*
165,12 €
(IVA esclusa)
201,45 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- Più 180 unità in spedizione dal 29 dicembre 2025
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 30 + | 5,504 € | 165,12 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 206-9725
- Codice costruttore:
- TK090N65Z,S1F(S
- Costruttore:
- Toshiba
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Toshiba | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 30A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Serie | TK090N65Z | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 90mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | -1.7V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 230W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30 V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 47nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 15.94 mm | |
| Lunghezza | 40.02mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 5.02mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Toshiba | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 30A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Serie TK090N65Z | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 90mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf -1.7V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 230W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30 V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 47nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 15.94 mm | ||
Lunghezza 40.02mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 5.02mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET a canale N in silicio Toshiba con proprietà di commutazione ad alta velocità con capacità inferiore. È usato principalmente negli alimentatori switching.
Bassa resistenza all'accensione drain-source 0,075 ?
Temperatura di conservazione da -55 a 150 °C.