MOSFET Toshiba, canale N, 155 mΩ, 20 A, TO-247, Su foro

Name: MOSFET Toshiba, canale N, 155 mΩ, 20 A, TO-247, Su foro
Brand: Toshiba
SKU: 827-6167
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Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	20 A
Tensione massima drain source	600 V
Serie	TK
Tipo di package	TO-247
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	155 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3.7V
Dissipazione di potenza massima	165 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Larghezza	5.02mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Carica gate tipica @ Vgs	48 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	15.94mm
Altezza	20.95mm

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