MOSFET Toshiba, canale N, 155 mΩ, 20 A, TO-3PN, Su foro
- Codice RS:
- 827-6163
- Codice costruttore:
- TK20J60W,S1VQ(O
- Costruttore:
- Toshiba
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Aggiunto
Prezzo per 1pz in confezione da 2
7,62 €
(IVA esclusa)
9,30 €
(IVA inclusa)
| Unità | Per unità | Per Pack* |
| 2 - 18 | 7,62 € | 15,24 € |
| 20 - 38 | 5,775 € | 11,55 € |
| 40 - 72 | 5,44 € | 10,88 € |
| 74 - 148 | 5,305 € | 10,61 € |
| 150 + | 5,17 € | 10,34 € |
| *prezzo indicativo | ||
- Codice RS:
- 827-6163
- Codice costruttore:
- TK20J60W,S1VQ(O
- Costruttore:
- Toshiba
Documentazione Tecnica
Normative
- Paese di origine:
- JP
Dettagli prodotto
MOSFET a canale N, serie TK2x, Toshiba
Transistor MOSFET, Toshiba
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di canale | N |
| Corrente massima continuativa di drain | 20 A |
| Tensione massima drain source | 600 V |
| Tipo di package | TO-3PN |
| Serie | TK |
| Tipo di montaggio | Su foro |
| Numero pin | 3 |
| Resistenza massima drain source | 155 mΩ |
| Modalità del canale | Enhancement |
| Tensione di soglia gate massima | 3.7V |
| Dissipazione di potenza massima | 165 W |
| Configurazione transistor | Singolo |
| Tensione massima gate source | -30 V, +30 V |
| Materiale del transistor | Si |
| Lunghezza | 15.5mm |
| Carica gate tipica @ Vgs | 48 nC a 10 V |
| Larghezza | 4.5mm |
| Numero di elementi per chip | 1 |
| Massima temperatura operativa | +150 °C |
| Altezza | 20mm |
- Codice RS:
- 827-6163
- Codice costruttore:
- TK20J60W,S1VQ(O
- Costruttore:
- Toshiba