MOSFET Toshiba, canale Tipo N 600 V, 155 mΩ Miglioramento, 20 A, 3 Pin, TO-3P, Foro passante TK20J60W,S1VQ(O

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
827-6163
Codice costruttore:
TK20J60W,S1VQ(O
Costruttore:
Toshiba
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Marchio

Toshiba

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

20A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

TO-3P

Serie

TK

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

155mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

165W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

48nC

Tensione diretta Vf

-1.7V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

4.5 mm

Altezza

20mm

Lunghezza

15.5mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
JP

MOSFET a canale N, serie TK2x, Toshiba


Transistor MOSFET, Toshiba


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