2 MOSFET Toshiba Tipo isolato, canale Tipo N, 40 mΩ, 5.1 A 40 V, SOP, Superficie Miglioramento, 8 Pin TPC8227-H,LQ(S
- Codice RS:
- 796-5128
- Codice costruttore:
- TPC8227-H,LQ(S
- Costruttore:
- Toshiba
Al momento non disponibile
Non sappiamo se questo articolo tornerà in stock, in quanto è stato sospeso dal produttore.
- Codice RS:
- 796-5128
- Codice costruttore:
- TPC8227-H,LQ(S
- Costruttore:
- Toshiba
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Toshiba | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 5.1A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Serie | TPC | |
| Tipo di package | SOP | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 40mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 10nC | |
| Tensione diretta Vf | -1.2V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.5W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | ±20 V | |
| Configurazione transistor | Tipo isolato | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 1.52mm | |
| Larghezza | 3.9 mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 4.9mm | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Toshiba | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 5.1A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Serie TPC | ||
Tipo di package SOP | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 40mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 10nC | ||
Tensione diretta Vf -1.2V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.5W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs ±20 V | ||
Configurazione transistor Tipo isolato | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 1.52mm | ||
Larghezza 3.9 mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 4.9mm | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET doppio a canale N , serie TPC, Toshiba
Transistor MOSFET, Toshiba
Link consigliati
- MOSFET Toshiba 13 20 A Montaggio superficiale
- MOSFET Toshiba 5.8 Ω SOP, Montaggio superficiale
- MOSFET Toshiba 1 340 A Montaggio superficiale
- MOSFET Toshiba 4 93 A Montaggio superficiale
- MOSFET Toshiba 6 mΩ SOP, Montaggio superficiale
- MOSFET Toshiba 8 59 A Montaggio superficiale
- MOSFET Toshiba 17 mΩ SOP, Montaggio superficiale
- MOSFET Toshiba 40 mΩ TO-247, Su foro
