MOSFET Toshiba, canale N, 40 mΩ, 5,1 A, SOP, Montaggio superficiale

Codice RS:: 796-5128
Codice costruttore:: TPC8227-H,LQ(S
Costruttore:: Toshiba

MOSFET Toshiba, canale N, 40 mΩ, 5,1 A, SOP, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 796-5128
Codice costruttore:: TPC8227-H,LQ(S
Costruttore:: Toshiba

TPC8227-H, Silicon N-Channel MOSFET (U-MOSVI-H) Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	5,1 A
Tensione massima drain source	40 V
Tipo di package	SOP
Serie	TPC
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	40 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.3V
Dissipazione di potenza massima	1,5 W
Configurazione transistor	Isolato
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Lunghezza	4.9mm
Numero di elementi per chip	2
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	3.9mm
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	10 nC a 10 V
Altezza	1.52mm

MOSFET Toshiba, canale N, 40 mΩ, 5,1 A, SOP, Montaggio superficiale

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MOSFET doppio a canale N , serie TPC, Toshiba

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