MOSFET Taiwan Semiconductor, canale N, 1,4 Ω, 3,3 A, TO-252, Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 171-3695
- Codice costruttore:
- TSM70N1R4CP ROG
- Costruttore:
- Taiwan Semiconductor
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Prezzo per 1pz in confezione da 10
1,484 €
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 10 + | 1,484 € | 14,84 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 171-3695
- Codice costruttore:
- TSM70N1R4CP ROG
- Costruttore:
- Taiwan Semiconductor
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Taiwan Taiwan Semiconductor 700V, 3. 3A, 1. Il MOSFET di potenza a canale N, 3 pin, ha una configurazione a transistor singolo e modalità canale potenziata. 4Ω È generalmente utilizzato in applicazioni di alimentazione e illuminazione.
Tecnologia di super-giunzione
Elevate prestazioni grazie alla figura di merito di dimensioni ridotte
Prestazioni di elevata robustezza
Prestazioni di elevata commutazione
Temperatura d'esercizio compresa tra -55 °C e +150 °C.
Dissipazione di potenza max. 38W
La tensione di soglia del gate è compresa tra 2V e 4V
Elevate prestazioni grazie alla figura di merito di dimensioni ridotte
Prestazioni di elevata robustezza
Prestazioni di elevata commutazione
Temperatura d'esercizio compresa tra -55 °C e +150 °C.
Dissipazione di potenza max. 38W
La tensione di soglia del gate è compresa tra 2V e 4V
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di canale | N |
| Corrente massima continuativa di drain | 3,3 A |
| Tensione massima drain source | 700 V |
| Tipo di package | TO-252 |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
| Numero pin | 3 + Tab |
| Resistenza massima drain source | 1,4 Ω |
| Modalità del canale | Enhancement |
| Tensione di soglia gate massima | 4V |
| Tensione di soglia gate minima | 2V |
| Dissipazione di potenza massima | 38 W |
| Configurazione transistor | Singolo |
| Tensione massima gate source | ±30 V |
| Carica gate tipica @ Vgs | 7,7 nC a 10 V |
| Massima temperatura operativa | +150 °C |
| Larghezza | 6.11mm |
| Numero di elementi per chip | 1 |
| Lunghezza | 6.57mm |
| Altezza | 2.29mm |
| Tensione diretta del diodo | 1.4V |
| Minima temperatura operativa | -55 °C |
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