MOSFET Taiwan Semiconductor, canale N, 1,4 Ω, 3,3 A, TO-252, Montaggio superficiale

Visualizza MOSFET
Non disponibile
RS non distribuirà più questo prodotto.
Opzioni di confezione:
Codice RS:
171-3695
Codice costruttore:
TSM70N1R4CP ROG
Costruttore:
Taiwan Semiconductor
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Taiwan Semiconductor

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

3,3 A

Tensione massima drain source

700 V

Tipo di package

TO-252

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3 + Tab

Resistenza massima drain source

1,4 Ω

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

4V

Tensione di soglia gate minima

2V

Dissipazione di potenza massima

38 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

±30 V

Larghezza

6.11mm

Numero di elementi per chip

1

Lunghezza

6.57mm

Carica gate tipica @ Vgs

7,7 nC a 10 V

Massima temperatura operativa

+150 °C

Altezza

2.29mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Tensione diretta del diodo

1.4V

Taiwan Taiwan Semiconductor 700V, 3. 3A, 1. Il MOSFET di potenza a canale N, 3 pin, ha una configurazione a transistor singolo e modalità canale potenziata. 4Ω È generalmente utilizzato in applicazioni di alimentazione e illuminazione.

Tecnologia di super-giunzione
Elevate prestazioni grazie alla figura di merito di dimensioni ridotte
Prestazioni di elevata robustezza
Prestazioni di elevata commutazione
Temperatura d'esercizio compresa tra -55 °C e +150 °C.
Dissipazione di potenza max. 38W
La tensione di soglia del gate è compresa tra 2V e 4V

Link consigliati