2 MOSFET di potenza onsemi Duale, canale Tipo N, 7.4 mΩ, 52 A 40 V, DFN, Superficie Miglioramento, 8 Pin NVMFD5C466NLT1G

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
172-3351
Codice costruttore:
NVMFD5C466NLT1G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

52A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

NVMFD5C466NL

Tipo di package

DFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

7.4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

16nC

Tensione diretta Vf

0.9V

Dissipazione di potenza massima Pd

40W

Configurazione transistor

Duale

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

PPAP capable, AEC-Q101, RoHS

Lunghezza

6.1mm

Altezza

1.05mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET di potenza per uso automobilistico in contenitore con cavo piatto 5x6mm ideato per progetti compatti ed efficienti prestazioni termiche incluse. Opzione con fiancata bagnabile disponibile per una migliore ispezione visiva. MOSFET e capacità PPAP adatti per applicazioni nel settore automobilistico.

Ingombro ridotto (5x6 mm)

Design compatto

Bassa resistenza RDS(on)

Riduce la perdita di conduzione

QG e capacità bassi

Riduce le perdite di driver

NVMFD5C446NLWF - Opzione con fiancata bagnabile

Ispezione visiva migliorata

Capacità PPAP

Applicazioni

Driver solenoide

Driver low side /high side

Controller motore nel settore automobilistico

Sistemi di frenatura antiblocco

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