MOSFET onsemi, canale N, 20,4 mΩ, 42 A, DFN, Montaggio superficiale

Codice RS:: 172-3402
Codice costruttore:: NVMFD5C674NLT1G
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 20,4 mΩ, 42 A, DFN, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 172-3402
Codice costruttore:: NVMFD5C674NLT1G
Costruttore:: onsemi

Datasheets
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	42 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	DFN
Serie	NVMFD5C674NL
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	20,4 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.2V
Tensione di soglia gate minima	1.2V
Dissipazione di potenza massima	37 W
Tensione massima gate source	±20 V
Numero di elementi per chip	2
Larghezza	5.1mm
Carica gate tipica @ Vgs	10 nC a 10 V
Lunghezza	6.1mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.05mm
Tensione diretta del diodo	1.2V
Standard per uso automobilistico	AEC-Q101

MOSFET onsemi, canale N, 20,4 mΩ, 42 A, DFN, Montaggio superficiale

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