MOSFET onsemi, canale Tipo N 650 V, 190 mΩ Miglioramento, 17 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante FCP190N65S3

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 confezione da 10 unità*

15,94 €

(IVA esclusa)

19,45 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Pochi pezzi in magazzino
  • Più 10 unità in spedizione dal 29 dicembre 2025
Le nostre scorte attuali sono limitate e i nostri fornitori prevedono difficoltà di approvvigionamento.
Unità
Per unità
Per confezione*
10 +1,594 €15,94 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
172-4632
Codice costruttore:
FCP190N65S3
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

17A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TO-220

Serie

SuperFET II

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

190mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

33nC

Dissipazione di potenza massima Pd

144W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

10.67mm

Larghezza

4.7 mm

Altezza

16.3mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
MOSFET SuperFET ® III è la nuovissima famiglia MOSFET di super-giunzione (SJ) ad alta tensione che utilizza la tecnologia di bilanciamento della carica per resistenza eccezionalmente bassa in stato attivo e prestazioni di bassa carica di gate. Questa tecnologia avanzata è personalizzata per ridurre la perdita di conduzione, fornisce eccellenti prestazioni di commutazione, e resiste a estreme velocità dv/dt. Di conseguenza, MOSFET SuperFET III è perfetto per vari sistemi di alimentazione per la miniaturizzazione e una maggiore efficienza.

700 V a TJ= 150 °C

Maggiore affidabilità del sistema a bassa temperatura di esercizio

Carica di gate estremamente bassa (tip. Qg = 30 nC)

Minore perdita di commutazione

Bassa capacità di uscita effettiva (Coss(eff.) = 277 pF)

Minore perdita di commutazione

Capacità ottimizzata

Vds di picco inferiore e Vgs di oscillazione minore

Resistenza di gate interna: 7,0 ohm

Vds di picco inferiore e Vgs di oscillazione minore

Tip. RDS(on) = 170 mΩ

Link consigliati