MOSFET onsemi, canale N, 190 mΩ, 20 A, TO-220, Su foro

Il MOSFET SUPERFET III on Semiconductor è la nuova famiglia di MOSFET a giunzione super-tensione (SJ) che utilizza la tecnologia a bilanciamento di carica per una bassa resistenza on-resistance e prestazioni di carica a gate inferiore. Questa tecnologia avanzata è personalizzata per ridurre la perdita di conduzione, fornisce eccellenti prestazioni di commutazione, e resiste a estreme velocità dv/dt. Di conseguenza, il MOSFET SUPERFET III è molto adatto ai vari sistemi di potenza per la miniaturizzazione e la maggiore efficienza. Le prestazioni ottimizzate di recupero inverso del diodo body del MOSFET FRFET SUPERFET III possono rimuovere componenti aggiuntivi e migliorare l'affidabilità del sistema.

700 V a TJ = 150 °C
Carica gate ultra bassa (Typ. QG = 35 nC)
Capacità di uscita a bassa efficienza (Typ. COSS (eff.) = 467 pF)
Capacità di uscita a bassa efficienza (Typ. COSS (eff.) = 467 pF)
Capacità ottimizzata
Tip. RDS(on) = 161 mΩ
Maggiore affidabilità del sistema a bassa temperatura di esercizio
Minore perdita di commutazione
Minore perdita di commutazione
Maggiore affidabilità del sistema in LLC e circuito a ponte completo con commutazione di fase
Vds di picco inferiore e Vgs di oscillazione minore
Applications
Elaborazione
Prodotti di consumo
Industriale
Prodotti finali
Notebook/computer desktop/console di gioco
Telecomunicazioni/Server
Illuminazione/resistenza a LED
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