MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 190 mΩ Miglioramento, 8 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

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Codice RS:
214-9001
Codice costruttore:
IPA65R190C7XKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

CoolMOS C7

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

190mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Infineon CoolMOS è una tecnologia rivoluzionaria per MOSFET di potenza ad alta tensione, progettata in base al principio della super giunzione (SJ) e pioniera in Infineon Technologies. La serie CoolMOS C7 combina l'esperienza del fornitore leader di MOSFET SJ con un'innovazione di alta classe. La gamma di prodotti offre tutti i vantaggi dei MOSFET a super giunzione a commutazione rapida che offrono una migliore efficienza, una carica di gate ridotta, una facile implementazione e un'eccezionale affidabilità.

Facile da usare/guidare

Offre un risparmio in termini di costi/dimensioni del sistema grazie alla riduzione requisiti di raffreddamento

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