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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	onsemi
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	4A
	Tipo di package	SOIC
	Serie	NCP81075
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Modalità canale	N
	Minima temperatura operativa	-40°C
	Tensione diretta Vf	1.1V
	Temperatura massima di funzionamento	170°C
	Standard/Approvazioni	No
	Altezza	1.5mm
	Lunghezza	5mm
	Standard automobilistico	No

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	Marchio onsemi
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 4A
	Tipo di package SOIC
	Serie NCP81075
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Modalità canale N
	Minima temperatura operativa -40°C
	Tensione diretta Vf 1.1V
	Temperatura massima di funzionamento 170°C
	Standard/Approvazioni No
	Altezza 1.5mm
	Lunghezza 5mm
	Standard automobilistico No

Il dispositivo NCP81075 è un IC gate-drive a mosfet doppio ad alte prestazioni (high side e low side) progettato per MOSFET ad alta tensione e ad alta velocità operanti fino a 180 V. Il dispositivo NCP81075 integra un IC driver e un diodo di bootstrap, e offre una capacità di comando di 4 A max. I driver high side e low side sono comandati in modo indipendente con un ritardo di propagazione tipica corrispondente di 3,5 ns. Questo driver è la soluzione ideale per l'uso in applicazioni buck ad alta tensione, alimentatori isolati, convertitori forward a morsetto attivo e commutazione doppia. Il dispositivo può essere utilizzato anche nelle applicazioni con ottimizzatore di energia solare e con inverter solare. L’articolo viene fornito in contenitori SO8, DFN 8 pin e DFN 10 pin, e presenta specifiche complete per l’intervallo di temperatura compreso tra -40 e 140 °C.

Aziona due MOSFET canale N in lato alto e basso

Diodo di bootstrap integrato per stadio pilota lato alto

Gamma di tensione di alimentazione di bootstrap fino a 180 V

Capacità di corrente di uscita 4A source, 4A sink

Aziona un carico di 1 nF con tempi di salita/discesa tipici di 8 ns/7 ns

Ampia gamma di tensione di alimentazione da 8,5V a 20 V

Tempi di ritardo di propagazione rapida (tip. 20 ns)

Corrispondenza ritardo 2 ns (tipica)

Protezione UVLO (Under-Voltage Lockout) per tensione unità

Temperatura d'esercizio di giunzione da -40 °C a 140 °C

Applicazioni

Convertitore buck

Alimentatori isolati

Amplificatori audio di classe D

Convertitori forward a morsetto attivo e commutazione doppia

Ottimizzatore solare

MOSFET onsemi, canale Tipo N N, 4 A, 8 Pin, SOIC, Superficie

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