MOSFET onsemi, canale N, 4 A, SOIC, Montaggio superficiale

Il dispositivo NCP81075 è un IC gate-drive a mosfet doppio ad alte prestazioni (high side e low side) progettato per MOSFET ad alta tensione e ad alta velocità operanti fino a 180 V. Il dispositivo NCP81075 integra un IC driver e un diodo di bootstrap, e offre una capacità di comando di 4 A max. I driver high side e low side sono comandati in modo indipendente con un ritardo di propagazione tipica corrispondente di 3,5 ns. Questo driver è la soluzione ideale per l'uso in applicazioni buck ad alta tensione, alimentatori isolati, convertitori forward a morsetto attivo e commutazione doppia. Il dispositivo può essere utilizzato anche nelle applicazioni con ottimizzatore di energia solare e con inverter solare. L’articolo viene fornito in contenitori SO8, DFN 8 pin e DFN 10 pin, e presenta specifiche complete per l’intervallo di temperatura compreso tra -40 e 140 °C.

Aziona due MOSFET canale N in lato alto e basso
Diodo di bootstrap integrato per stadio pilota lato alto
Gamma di tensione di alimentazione di bootstrap fino a 180 V
Capacità di corrente di uscita 4A source, 4A sink
Aziona un carico di 1 nF con tempi di salita/discesa tipici di 8 ns/7 ns
Ampia gamma di tensione di alimentazione da 8,5V a 20 V
Tempi di ritardo di propagazione rapida (tip. 20 ns)
Corrispondenza ritardo 2 ns (tipica)
Protezione UVLO (Under-Voltage Lockout) per tensione unità
Temperatura d'esercizio di giunzione da -40 °C a 140 °C
Applicazioni
Convertitore buck
Alimentatori isolati
Amplificatori audio di classe D
Convertitori forward a morsetto attivo e commutazione doppia
Ottimizzatore solare