MOSFET onsemi, canale Tipo N, Tipo P 65 V, 210 mΩ Doppio, 8 Pin, SOIC-8, Superficie NCV8406DD1CR2G

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
327-795
Codice costruttore:
NCV8406DD1CR2G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N, Tipo P

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

65V

Tipo di package

SOIC-8

Serie

NCV

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

210mΩ

Modalità canale

Doppio

Minima temperatura operativa

-40°C

Dissipazione di potenza massima Pd

1.2W

Tensione diretta Vf

1.1V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

5mm

Standard/Approvazioni

RoHS, Pb-Free

Altezza

1.75mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
PH
Il dispositivo Smart Discrete Low-Side a doppia protezione di ON Semiconductor offre funzioni di protezione complete, tra cui sovracorrente, sovratemperatura, ESD e il bloccaggio integrato Drain-to-Gate per la protezione da sovratensione. È progettato per garantire prestazioni affidabili in ambienti automobilistici difficili.

Protezione contro i cortocircuiti

Spegnimento termico con riavvio automatico

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