MOSFET onsemi, canale Tipo N, Tipo P 65 V, 210 mΩ Doppio, 8 Pin, SOIC-8, Superficie NCV8406DD1CR2G

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
327-795
Codice costruttore:
NCV8406DD1CR2G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N, Tipo P

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

65V

Serie

NCV

Tipo di package

SOIC-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

210mΩ

Modalità canale

Doppio

Tensione diretta Vf

1.1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

14V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.2W

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS, Pb-Free

Larghezza

4mm

Altezza

1.75mm

Lunghezza

5mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
PH
Il dispositivo Smart Discrete Low-Side a doppia protezione di ON Semiconductor offre funzioni di protezione complete, tra cui sovracorrente, sovratemperatura, ESD e il bloccaggio integrato Drain-to-Gate per la protezione da sovratensione. È progettato per garantire prestazioni affidabili in ambienti automobilistici difficili.

Protezione contro i cortocircuiti

Spegnimento termico con riavvio automatico

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