MOSFET onsemi, canale P, 210 mΩ, 1,5 A, SOT-323, Montaggio superficiale

Codice RS:: 163-1139
Codice costruttore:: NTS2101PT1G
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale P, 210 mΩ, 1,5 A, SOT-323, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)**

0,095 €

(IVA esclusa)

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Unità	Per unità	Per bobina**
3000 +	0,095 €	285,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 163-1139
Codice costruttore:: NTS2101PT1G
Costruttore:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	1,5 A
Tensione massima drain source	8 V
Tipo di package	SOT-323
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	210 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	0.45V
Dissipazione di potenza massima	330 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-8 V, +8 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	1.35mm
Carica gate tipica @ Vgs	6,4 nC a 5 V
Lunghezza	2.2mm
Materiale del transistor	Si
Altezza	0.9mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET onsemi, canale P, 210 mΩ, 1,5 A, SOT-323, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza a canale P, 8 V, ON Semiconductor

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