MOSFET onsemi, canale Tipo P 8 V, 210 mΩ Miglioramento, 1.5 A, 3 Pin, SOT-323, Superficie

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Codice RS:
163-1139
Codice costruttore:
NTS2101PT1G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

1.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

8V

Serie

NTS2101P

Tipo di package

SOT-323

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

210mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

6.4nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±8 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

-1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

330mW

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

2.2mm

Altezza

0.9mm

Larghezza

1.35 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET di potenza a canale P, 8 V, ON Semiconductor


Transistor MOSFET, ON Semiconductor


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