MOSFET Infineon, canale Tipo P 40 V, 3.5 mΩ Miglioramento, 0.28 A, 3 Pin, SOT-323, Superficie

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Codice RS:
250-0553
Codice costruttore:
BSS209PWH6327XTSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

0.28A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

BSS

Tipo di package

SOT-323

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Infineon realizza un transistor a canale P con modalità di potenziamento ampiamente utilizzato in applicazioni ad alta commutazione. È a valanga e senza alogeni. Questo dispositivo è un transistor a piccolo segnale OptiMOS-P con super livello logico di 2,5 V (nominale). Temperatura d'esercizio di 150 °C È classificato anti effetto valanga e dv/dt. È senza piombo con placcatura al piombo, senza alogeni.

VDS è -20 V, RDS(on), max 550 mΩ e Id è -0,63 A

Ma dissipazione di potenza massima di 500 mW

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