MOSFET Infineon, canale N 60 V, 6000 mΩ Miglioramento, 280 mA, 3 Pin, SOT-323, Superficie BSS138WH6327XTSA1

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Codice RS:
250-0541
Codice costruttore:
BSS138WH6327XTSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

280mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

SOT-323

Serie

BSS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6000mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

+150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET Infineon serie BSS, tensione massima drain-source 60 V, dissipazione di potenza massima 81 W - BSS138WH6327XTSA1


Questo dispositivo di potenziamento a canale n è un transistor compatto a montaggio superficiale progettato per la commutazione e l'amplificazione in assemblaggi limitati. Funziona su un'ampia gamma termica ed è adatto ad ambienti che richiedono una tolleranza di temperatura elevata e una qualifica automobilistica standardizzata. Il pacchetto facilita la saldatura automatizzata su gruppi di schede in cui è richiesta la gestione di piccoli segnali e le prestazioni termiche.

Caratteristiche e vantaggi:


• La tensione massima drain-source di 60 V consente una capacità di commutazione a tensione più elevata
• La resistenza drain-source di 6000 mΩ riduce le perdite di conduzione per correnti ridotte
• La corrente di drenaggio continua di 0,28 A supporta percorsi di segnale a bassa corrente
• La dissipazione nominale di potenza di 81 W consente una gestione della potenza di breve durata
• La temperatura d'esercizio massima di +150 °C supporta il funzionamento ad alta temperatura

Applicazioni


• Adatto per la commutazione del segnale in moduli di controllo compatti
• Ideale per circuiti di gestione dell'alimentazione a montaggio superficiale su schede
• Utilizzato con l'elettronica automobilistica che richiede la qualifica AEC‐Q101
• Può essere utilizzato per i driver di carico a bassa corrente nei dispositivi portatili

Quali sono i limiti di tensione gate ammissibili?


Il gate può essere azionato fino a 20 V rispetto alla sorgente prima che vengano superati i vincoli del gate.

In che modo la carica del gate influisce sui requisiti di azionamento?


Una carica gate tipica di 80 nC all'azionamento nominale implica che è richiesta un'energia transitoria moderata dal driver gate.

Quali estremi termici può sopportare il dispositivo?


Funziona fino a -55 °C e fino a +150 °C per un'ampia capacità ambientale.

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