MOSFET Infineon, canale Tipo P -20 V, 550 mΩ Miglioramento, 630 mA, 3 Pin, SOT-323, Superficie BSS209PWH6327XTSA1
- Codice RS:
- 250-0554
- Codice costruttore:
- BSS209PWH6327XTSA1
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,321 € | 3,21 € |
| 100 - 490 | 0,304 € | 3,04 € |
| 500 - 990 | 0,192 € | 1,92 € |
| 1000 - 2490 | 0,174 € | 1,74 € |
| 2500 + | 0,147 € | 1,47 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 250-0554
- Codice costruttore:
- BSS209PWH6327XTSA1
- Costruttore:
- Infineon
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 630mA | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | -20V | |
| Tipo di package | SOT-323 | |
| Serie | BSS | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 550mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 81W | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 80nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Temperatura massima di funzionamento | +150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
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|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 630mA | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds -20V | ||
Tipo di package SOT-323 | ||
Serie BSS | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 550mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 81W | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 80nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Temperatura massima di funzionamento +150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
MOSFET Infineon serie BSS, tensione massima drain-source di 20 V, corrente di drenaggio continua massima di 0,63 A - BSS209PWH6327XTSA1
Caratteristiche e vantaggi:
• La carica gate di 80 nC consente prestazioni di commutazione prevedibili
• La tensione diretta di 1 V riduce al minimo la caduta di tensione nella conduzione del diodo
• La dissipazione di potenza di 81 W supporta il carico termico transitorio
• La tolleranza gate-source di ±20 V consente una disposizione flessibile dell'azionamento
Applicazioni
• Ideale per la protezione contro l'inversione di polarità della guida di alimentazione compatta
• Utilizzato con il rilevamento e la commutazione della gestione della batteria
• Può essere utilizzato per il sequenziamento dell'alimentazione dei dispositivi portatili
• Utile nella commutazione di potenza del livello del segnale a montaggio superficiale
A quali temperature d'esercizio può resistere?
Quanti pin e quale stile di montaggio utilizza?
Quali certificazioni o approvazioni sono disponibili per l'uso industriale?
Qual è la tensione massima consentita drain-source e il limite del gate?
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