MOSFET Infineon, canale Tipo P 40 V, 3.5 mΩ Miglioramento, 0.28 A, 3 Pin, SOT-323, Superficie BSS209PWH6327XTSA1
- Codice RS:
- 250-0554
- Codice costruttore:
- BSS209PWH6327XTSA1
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 250-0554
- Codice costruttore:
- BSS209PWH6327XTSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 0.28A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | SOT-323 | |
| Serie | BSS | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 3.5mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 81W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 80nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 0.28A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package SOT-323 | ||
Serie BSS | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3.5mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 81W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 80nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Infineon realizza un transistor a canale P con modalità di potenziamento ampiamente utilizzato in applicazioni ad alta commutazione. È a valanga e senza alogeni. Questo dispositivo è un transistor a piccolo segnale OptiMOS-P con super livello logico di 2,5 V (nominale). Temperatura d'esercizio di 150 °C È classificato anti effetto valanga e dv/dt. È senza piombo con placcatura al piombo, senza alogeni.
VDS è -20 V, RDS(on), max 550 mΩ e Id è -0,63 A
Ma dissipazione di potenza massima di 500 mW
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