MOSFET Microchip, canale Tipo N 60 V, 7.5 Ω Miglioramento, 310 mA, 3 Pin, TO-92, Foro passante VN10KN3-G

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Codice RS:
177-9716
Codice costruttore:
VN10KN3-G
Costruttore:
Microchip
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Marchio

Microchip

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

310mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TO-92

Serie

VN10K

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

7.5Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

1W

Tensione diretta Vf

0.8V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

5.08mm

Altezza

5.33mm

Larghezza

4.06 mm

Standard automobilistico

No

Distrelec Product Id

304-38-572

MOSFET con Microchip Technology


Il MOSFET a canale N con montaggio a foro passante Microchip Technology è un nuovo prodotto AGE con una resistenza drain-source di 5ohms a una tensione gate-source di 10V. Ha una tensione drain-source di 60V e una tensione gate-source massima di 30V. Ha una corrente di drain continua di 310mA e una dissipazione di potenza massima di 1W. La tensione di pilotaggio minima e massima per questo transistore sono rispettivamente 5V e 10V. Il MOSFET è un transistor in modalità di miglioramento (normalmente spento) che utilizza una struttura DMOS verticale e un processo di produzione di gate in silicio ben collaudato. Questa combinazione produce un dispositivo con le funzionalità di gestione dell'alimentazione dei transistor bipolari, con alta impedenza di ingresso e coefficiente di temperatura positivo intrinseco nei dispositivi MOS. Caratteristica significativa di tutte le strutture MOS, questo dispositivo è privo di breakdown secondari termici e indotti termicamente. Questo DMOS FET verticale è stato ottimizzato per minori perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga e produttiva durata senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

Caratteristiche e vantaggi


• Facilità di messa in parallelo

• Stabilità termica eccellente

• esente da guasti secondari

• elevata impedenza di ingresso e guadagno elevato

• diodo di scarico sorgente Integrato

• bassa CISS e velocità di commutazione elevate

• requisiti di azionamento a bassa potenza

• la temperatura Di Esercizio è compresa tra -55°C e 150°C.

Applications


Amplificatori •

• Convertitori

• driver (relè, martelli, solenoidi, lampade, memorie, display, transistor bipolari, ecc.)

• comandi del motore

• circuiti di alimentazione

• Interruttori

Certificazioni


• ANSI/ESD S20.20:2014

• bs en 61340-5-1:2007

• JEDEC

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