MOSFET Vishay, canale Tipo P 100 V, 200 mΩ Miglioramento, 21 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante IRFP9140PBF
- Codice RS:
- 178-0781
- Codice costruttore:
- IRFP9140PBF
- Costruttore:
- Vishay
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|---|---|---|
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 178-0781
- Codice costruttore:
- IRFP9140PBF
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 21A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Serie | IRFP | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 200mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 61nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 180W | |
| Tensione diretta Vf | -5V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 20.7mm | |
| Lunghezza | 15.87mm | |
| Larghezza | 5.31 mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 21A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Serie IRFP | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 200mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 61nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 180W | ||
Tensione diretta Vf -5V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 20.7mm | ||
Lunghezza 15.87mm | ||
Larghezza 5.31 mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
I MOSFET di potenza di terza generazione Vishay offrono al progettista la migliore combinazione di commutazione rapida, design robusto del dispositivo, bassa resistenza in stato attivo e convenienza.
Valori nominali dinamici dV/dt
Valori a valanga ripetitivi
Commutazione rapida
Facilità di collegamento in parallelo
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