MOSFET Vishay, canale P, 200 mΩ, 21 A, TO247AC, Su foro
- Codice RS:
- 540-9727
- Codice costruttore:
- IRFP9140PBF
- Costruttore:
- Vishay
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Aggiunto
Prezzo per Unità
3,82 €
(IVA esclusa)
4,66 €
(IVA inclusa)
| Unità | Per unità |
| 1 - 9 | 3,82 € |
| 10 - 49 | 3,25 € |
| 50 - 99 | 3,06 € |
| 100 - 249 | 2,86 € |
| 250 + | 2,67 € |
- Codice RS:
- 540-9727
- Codice costruttore:
- IRFP9140PBF
- Costruttore:
- Vishay
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
MOSFET canale P, da 100V a 400V, Vishay Semiconductor
I MOSFET di potenza di terza generazione Vishay offrono al progettista la migliore combinazione di commutazione rapida, design robusto del dispositivo, bassa resistenza in stato attivo e convenienza.
Valori nominali dinamici dV/dt
Valori a valanga ripetitivi
Commutazione rapida
Facilità di collegamento in parallelo
Valori a valanga ripetitivi
Commutazione rapida
Facilità di collegamento in parallelo
Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di canale | P |
| Corrente massima continuativa di drain | 21 A |
| Tensione massima drain source | 100 V |
| Tipo di package | TO247AC |
| Tipo di montaggio | Su foro |
| Numero pin | 3 |
| Resistenza massima drain source | 200 mΩ |
| Modalità del canale | Enhancement |
| Tensione di soglia gate minima | 2V |
| Dissipazione di potenza massima | 180 W |
| Configurazione transistor | Singolo |
| Tensione massima gate source | -20 V, +20 V |
| Numero di elementi per chip | 1 |
| Lunghezza | 15.87mm |
| Massima temperatura operativa | +175 °C |
| Larghezza | 5.31mm |
| Materiale del transistor | Si |
| Carica gate tipica @ Vgs | 61 nC a 10 V |
| Minima temperatura operativa | -55 °C |
| Altezza | 20.7mm |
- Codice RS:
- 540-9727
- Codice costruttore:
- IRFP9140PBF
- Costruttore:
- Vishay