MOSFET Infineon, canale N, 160 mΩ, 21 A, TO-247, Su foro

Codice RS:: 145-8593
Codice costruttore:: IPW60R165CPFKSA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 160 mΩ, 21 A, TO-247, Su foro

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Unità	Per unità	Per Tubo**
30 - 30	4,13 €	123,90 €
60 - 120	3,923 €	117,69 €
150 +	3,758 €	112,74 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 145-8593
Codice costruttore:: IPW60R165CPFKSA1
Costruttore:: Infineon

IPW60R165CP CoolMOS Power Transistor
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	21 A
Tensione massima drain source	650 V
Serie	CoolMOS CP
Tipo di package	TO-247
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	160 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3.5V
Tensione di soglia gate minima	2.5V
Dissipazione di potenza massima	192 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Carica gate tipica @ Vgs	39 nC a 10 V
Lunghezza	16.13mm
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	5.21mm
Tensione diretta del diodo	1.2V
Altezza	21.1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Infineon, canale N, 160 mΩ, 21 A, TO-247, Su foro

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MOSFET di potenza Infineon CoolMOS™CP

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