MOSFET Vishay, canale N, 850 mΩ, 8 A, TO-220AB, Su foro
- Codice RS:
- 178-0835
- Codice costruttore:
- IRF840APBF
- Costruttore:
- Vishay
100 Disponibile per la consegna entro 1 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa/UK)
Aggiunto
Prezzo per Cadauno (in una stecca da 50)
1,648 €
(IVA esclusa)
2,011 €
(IVA inclusa)
| Unità | Per unità | Per stecca* |
| 50 - 50 | 1,648 € | 82,40 € |
| 100 - 200 | 1,40 € | 70,00 € |
| 250 + | 1,318 € | 65,90 € |
| *prezzo indicativo | ||
- Codice RS:
- 178-0835
- Codice costruttore:
- IRF840APBF
- Costruttore:
- Vishay
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
MOSFET canale N, 500 V, Vishay Semiconductor
Il MOSFET di potenza Vishay ha una bassa carica di gate Qg che si traduce in un semplice requisito di azionamento e ha una maggiore robustezza gate, effetto valanga e DV/dt dinamico.
Gamma di temperature di esercizio della giunzione e di stoccaggio: Da -55 a +150 °C.
Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di canale | N |
| Corrente massima continuativa di drain | 8 A |
| Tensione massima drain source | 500 V |
| Tipo di package | TO-220AB |
| Tipo di montaggio | Su foro |
| Numero pin | 3 |
| Resistenza massima drain source | 850 mΩ |
| Modalità del canale | Enhancement |
| Tensione di soglia gate minima | 2V |
| Dissipazione di potenza massima | 125 W |
| Configurazione transistor | Singolo |
| Tensione massima gate source | -30 V, +30 V |
| Massima temperatura operativa | +150 °C |
| Lunghezza | 10.41mm |
| Materiale del transistor | Si |
| Carica gate tipica @ Vgs | 38 nC a 10 V |
| Numero di elementi per chip | 1 |
| Larghezza | 4.7mm |
| Altezza | 9.01mm |
| Minima temperatura operativa | -55 °C |