MOSFET Vishay, canale N, 850 mΩ, 4,6 A, TO-220FP, Su foro

Codice RS:: 540-8279
Codice Distrelec:: 301-91-582
Codice costruttore:: IRFI840GPBF
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 850 mΩ, 4,6 A, TO-220FP, Su foro

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Codice RS:: 540-8279
Codice Distrelec:: 301-91-582
Codice costruttore:: IRFI840GPBF
Costruttore:: Vishay

IRFI840GPBF Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	4,6 A
Tensione massima drain source	500 V
Tipo di package	TO-220FP
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	850 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	40 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	67 nC a 10 V
Altezza	9.8mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Vishay, canale N, 850 mΩ, 4,6 A, TO-220FP, Su foro

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MOSFET canale N, 500 V, Vishay Semiconductor

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