MOSFET Vishay, canale N, 850 mΩ, 4,6 A, TO-220FP, Su foro

Codice RS:: 540-8279
Codice costruttore:: IRFI840GPBF
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 850 mΩ, 4,6 A, TO-220FP, Su foro

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Prezzo per Unità

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Unità	Per unità
1 +	0,64 €

Codice RS:: 540-8279
Codice costruttore:: IRFI840GPBF
Costruttore:: Vishay

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

MOSFET canale N, 500 V, Vishay Semiconductor

I MOSFET di potenza di terza generazione Vishay offrono al progettista la migliore combinazione di commutazione rapida, design robusto del dispositivo, bassa resistenza in stato attivo e convenienza. IL MODELLO TO-220 FULLPAK elimina la necessità di hardware isolante aggiuntivo in applicazioni commerciali-industriali. Il composto di stampaggio utilizzato fornisce un'elevata capacità di isolamento e una bassa resistenza termica tra la linguetta e il dissipatore esterno.

Valori nominali dinamici dV/dt
Bassa resistenza termica

Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor

Specifiche

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	4,6 A
Tensione massima drain source	500 V
Tipo di package	TO-220FP
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	850 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	40 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Carica gate tipica @ Vgs	67 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	9.8mm

Codice RS:: 540-8279
Codice costruttore:: IRFI840GPBF
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 850 mΩ, 4,6 A, TO-220FP, Su foro

Documentazione Tecnica

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MOSFET canale N, 500 V, Vishay Semiconductor

Specifiche

MOSFET canale N, 500 V, Vishay Semiconductor

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