MOSFET Vishay, canale N, 11 Ω, 1,4 A, TO-220AB, Su foro
- Codice RS:
- 178-0845
- Codice costruttore:
- IRFBG20PBF
- Costruttore:
- Vishay
100 Disponibile per la consegna entro 1 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa/UK)
Aggiunto
Prezzo per Cadauno (in una stecca da 50)
2,371 €
(IVA esclusa)
2,893 €
(IVA inclusa)
| Unità | Per unità | Per stecca* |
| 50 - 50 | 2,371 € | 118,55 € |
| 100 - 200 | 2,015 € | 100,75 € |
| 250 + | 1,897 € | 94,85 € |
| *prezzo indicativo | ||
- Codice RS:
- 178-0845
- Codice costruttore:
- IRFBG20PBF
- Costruttore:
- Vishay
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
MOSFET canale N, da 600V a 1000V, Vishay Semiconductor
Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di canale | N |
| Corrente massima continuativa di drain | 1,4 A |
| Tensione massima drain source | 1000 V |
| Tipo di package | TO-220AB |
| Tipo di montaggio | Su foro |
| Numero pin | 3 |
| Resistenza massima drain source | 11 Ω |
| Modalità del canale | Enhancement |
| Tensione di soglia gate minima | 2V |
| Dissipazione di potenza massima | 54 W |
| Configurazione transistor | Singolo |
| Tensione massima gate source | -20 V, +20 V |
| Massima temperatura operativa | +150 °C |
| Numero di elementi per chip | 1 |
| Carica gate tipica @ Vgs | 38 nC a 10 V |
| Lunghezza | 10.41mm |
| Larghezza | 4.7mm |
| Materiale del transistor | Si |
| Altezza | 9.01mm |
| Minima temperatura operativa | -55 °C |